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Die neuen 650V GaN-Transistoren/E-mode HEMT (Enhancement-mode High Electron Mobility Transistors) von Taiwan Semiconductor sind nun bei uns erhältlich. Diese Produktfamilie erfüllt bei einem kompakten Formfaktor die aktuellen Anforderungen von Hochleistungssystemen, die höhere Betriebsströme und Wirkungsgrade sowie kleinere Größe und niedrigeres Gewicht erfordern. Sie wurden speziell für die Industrie und Erneuerbare Energien entwickelt und weisen den derzeit höchsten in der Produktion verfügbaren GaN-Strom auf.
Im Vergleich zu Si-MOSFETs ermöglichen diese Komponenten eine hohe Schaltgeschwindigkeit, da ihre Gate-Charge (QG) nur 2,2nC bis 6,7nC beträgt sowie ihre Gate-Spannung (VGS) von +5V bis zu 6V reicht. Sie werden in thermisch effizienten PDFN-Gehäusen mit den Maßen von 5×6mm und 8×8mm bei einem Gewicht von 0,153g angeboten. Die spannungsgesteuerten Transistoren überzeugen mit ihren Figur-of-Merit (FOM). Dafür sorgen ihre geringen RDS(on)-Werte, die je nach Modell zwischen 50mOhm und 150mOhm liegen. Ein echter Enhancement-Modus kann zusätzlich aktiviert werden. Sie haben keine Sperrschichtverluste und sind leicht zu parallelisieren.
Typische Anwendungsbereiche der 650V E-mode GaN Transistors von TSC umfassen SMPS-Ladegeräte, DC/DC-Wandler und Wechselrichter, Server, Telekommunikation sowie Rechenzentren.
Ausführliche technische Daten, aktuelle Preise und Lagerbestände sowie Datenblätter zum Download finden Sie in Warengruppe:
U8771 - TAIWAN SEMICONDUCTOR (TSC) SMD-Leistungs-MOSFETs E-mode GaN, Serie: TSG65N, Gehäuse: PDFN |
