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SiC-Leistungsmodule Serie BSM von ROHM Semiconductor neu bei Schukat

Für Sie haben wir die SiC-Leistungsmodule der BSM-Serie von ROHM Semiconductor neu ins Programm aufgenommen. Sie zeichnen sich durch geringe Anstiegs- und Schaltverluste sowie eine reduzierte Temperaturabhängigkeit aus und ermöglichen ein High-Speed-Schalten. Damit eignen die SiC-Leistungsmodule von ROHM sich ideal für Anwendungen wie Motorantriebe, AC- und DC-Wandler, Photovoltaik- und Windenergieerzeugung sowie Induktionsheizgeräte. Die 1200V-SiC-Leistungsmodule der BSM-Serie von ROHM haben je nach Typ Nennströme zwischen 80 bis 300A und sind als Halbbrückenmodul oder Chopper-Modul, bestehend aus SiC-DMOSFET und SiC-Schottky-Diode, bei Schukat erhältlich.

Ausführliche technische Daten, aktuelle Preise und Lagerbestände sowie Datenblätter zum Download finden Sie in Warengruppe:
U8685 - ROHM SiC-Leistungs-MOSFET-Module; Serie: BSM_; Gehäuse: C-Pack, E-Pack, G-Pack





 
 
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