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Ab sofort alle neuen High-Voltage-MOSFETs von Taiwan Semiconductor im TO251, TO220 und ITO220 Gehäuse ab Lager erhältlich


Taiwan Semiconductor hat ein komplettes Programm an Hochspannungs-MOSFETs neu aufgebaut und wir führen natürlich alle neuen High-Voltage-MOSFETS von TSC ab sofort ab Lager.
Die TSC-N-Channel-MOSFETs sind für hohe Drain-Source-Spannungen von 500V bis 900V ausgelegt und erlauben Drainströme von bis zu 18A (TSM60NB190CI/CZ). Untergebracht sind die Bauteile in den gängigen MOSFET-Gehäusen TO251, TO220 oder ITO220 (vollisoliert).
Neben der weit verbreiteten Planar-Technologie setzt Taiwan Semiconductor bei seinen neuen Leistungs-MOSFETs zunehmend auf die Super-Junction-Technologie (TSM60Nxx, TSM70Nxx und TSM80Nxx). Der taiwanesichen Hersteller produziert inzwischen auch schon 600V-Super-Junction-MOSFETs in der zweiten Generation (TSM60NBxxi, die ebenfalls bei uns schon ab Lager verfügbar sind). Die Super-Junction-Technologie ermöglicht schneller und effizienter schaltende MOSFETs mit verbessertem Sperrverhalten. Durch die Reduizerung des Einschalt-Widerstandes RDS(on) und der Gate-Ladung Qg ergibt sich bei Super-Junction-MOSFETs von Taiwan Semiconductor ein deutlich verbessertes FOM (figure of merit = RDS(on) x Qg) im Vergleich zu MOSFETs, die in Planar-Technologie gefertigt werden. Das bedeutet für den Anwender deutlich geringere Leitungs- und Schaltverluste in allen Applikationen.

Ausführliche technische Daten, aktuelle Preise und Lagerbestände sowie Datenblätter zum Download finden Sie in den Warengruppen:
U8379 - TAIWAN SEMICONDUCTOR (TSC) Leistungs-MOSFETs, Serie: TSM_CH; Gehäuse: TO251
U8380 - TAIWAN SEMICONDUCTOR (TSC) Leistungs-MOSFETs, Serie: TSM_CF, TSM_CI, TSM_CZ; Gehäuse: ITO220, TO220




 
 
 
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