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Neu im unserem Portfolio sind die 600V-Super-Junction-MOSFETs der NE-Serie (TSM60NExx) von Taiwan Semiconductor, die zur Verbesserung der Effizienz und Leistungsdichte in Hochspannungsanwendungen entwickelt wurden. Sie integrieren die Super-Junction-Technologie der 4.Generation, die einen außergewöhnlich niedrigen Durchlasswiderstand (RDSON) bei einer niedrigen Gate-Ladungskapazität (QG) ermöglicht – damit bieten diese MOSFETs eine ausgezeichnete Schaltleistung und Effizienz.
Im Vergleich zu alternativen Optionen erzielt diese neue MOSFET-Version von TSC einen höheren Wert in vielen Hochspannungsanwendungen, und zugleich eine hohe Gate-Rauschimmunität.
Je nach Typ reicht der maximale Durchlasswiderstand von 0,069 Ohm bis zu 0,285 Ohm, die Gate-Ladungskapazität bei 10V von 22 bis 114, und die Sperrverzugsladung (Qrr) ist um 11% niedriger. Weitere Features sind ein Drain-Strom (ID) von 11 bis zu 61 A (je nach Typ) lustlund eine Vereistung (PD) von typabhängig 56 bis zu 431W. Alle Typen sind bis zu einem Temperaturbereich von 150°C einsetzbar.
Mit einer um 30% höheren FOM (Figure-of-Merit) setzt die NE-Serie von Taiwan Semiconductor neue Maßstäbe und ermöglicht es, kleinere und effizientere Systeme zu bauen.
Zu den Zielanwendungen zählen Schaltnetzteile, Server-Stromversorgungen, Hochvolt-Motorantriebe, UPS-Systeme und Beleuchtungssteuerungen.
Ausführliche technische Daten, aktuelle Preise und Lagerbestände sowie Datenblätter zum Download finden Sie in Warengruppe:
U8380 - TAIWAN SEMICONDUCTOR (TSC) Leistungs-MOSFETs; Serie: TSM_CI, TSM_CP, TSM_CZ, TSM_LCZ. TSM_NE; Gehäuse: ITO220_, TO220 |
