Eine der Bauformen der MOSFETs ist der IGBT alias Insulated- Gate Bipolare Transistoren. Er weist einige Vorteile auf, die man nutzen kann, um die Leistungsfähigkeiten der Elektronik Bauelemente steigern zu können. Der IGBT Mosfet gehört zu den vierschichtigen Halbleitern und lässt sich über ein so genanntes Gate steuern. Er bringt wenig Effizienz bei niedrigen Spannungen, weshalb man dort auf das Leistungs- Mos Fet zurück greift. Dabei handelt es sich um einen Metall Oxid Halbleiter Transistor mit Feldeffekt. Er wurde bereits 1926 patentiert.
Beim Mosfet handelt es sich vom Wirkprinzip her um einen von der Eingangsspannung gesteuerten Widerstand, der entweder drei oder vier Anschlüsse besitzt. Er wird noch einmal unterteilt in PMOS, NMOS und CMOS, die alle sowohl als Verarmungstyp als auch als Anreicherungstyp im Sortiment elektronische Bauelemente zu finden sind. Als so genannte laterale IGBTs und BIMOSFETs werden die bezeichnet, die parallel zur Baugrundfläche ausgerichtet sind. Als weitere Bauform steht das Mos Fet als horizontale, das heißt senkrecht zum Untergrund angebracht, zur Verfügung. Elektronische Bauteile wie das IGBT Mosfet werden vor allem in der Nachrichtentechnik verwendet. Einige davon finden sich auch in multimedialen Geräten wie zum Beispiel dem Computer.
Wer eine umfassende Beratung für Elektronik Bauteile wie das IGBT Mosfet, den J-Fets und dem klassischen Mosfet haben möchte, der sollte die Business to Business Dienste beim Elektronik Großhandel in Anspruch nehmen. Auch das Ingenieurbüro Elektro kann bereits in der Entwicklungsphase für neue Produkte mit einbezogen werden, so dass von Anfang an geschaut werden kann, wo die Vorteile des Mosfet bei der Effizienzsteigerung der zu produzierenden Geräte mit eingebracht werden können.
