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Die 650V-SiC-Schottky-Dioden eignen sich dank geringer Schaltverluste besonders für hocheffiziente AC-DC-, DC-DC- und DC-AC-Anwendungen. Die halogenfreien und RoHs-konformen Bauteile ermöglichen dank geringer kapazitiver Ladung deutlich höhere Schaltfrequenzen bei geringeren Schaltverlusten und arbeiten zuverlässig bei Sperrschichttemperaturen von bis zu +175 °C.
Sie sind prädestiniert für Anwendungen in USV-Anlagen, Solar-Wechselrichtern oder Rechenzentren.
Ein besonders leistungsstarkes Highlight bilden die neuen 650V-GaN-Transistoren / E-HEMT (Enhancement-mode High Electron Mobility Transistors) von TSC. Diese Produktfamilie erfüllt die Anforderungen von Hochleistungssystemen wie höhere Betriebsströme und Wirkungsgrade, überzeugt dabei aber mit geringeren Abmessungen. Die Komponenten ermöglichen im Vergleich zu SiC-MOSFETs eine geringere Gate-Charge (QG), eine niedrigere Gate-Spannung (VG) und höhere Schaltgeschwindigkeiten. Sie werden in thermisch effizienten PDFN-Gehäusen angeboten.
Zusätzlich stellt Schukat die vierte Generation von 600V-Super-Junction-MOSFETs der NE-Serie von TSC vor. Die auf möglichst niedrigen RDSon bei minimalen Gate-Kapazitäten optimierten Komponenten wurden für hohe Wirkungsgrade und Leistungsdichten konzipiert. Die Bauteile erreichen eine dreißigprozentige Verbesserung der Figure-of-Merit (FOM) und finden vor allem in Applikationen wie Schaltnetzteilen, Servernetzteilen oder Hochvolt-Motorradantrieben Verwendung.
Die neue Leistungselektronik von TSC wird bis zur Messe bei Schukat gelistet sein, Muster sind bereits jetzt auf Anfrage erhältlich. |
